【逆回復特性(Trj+trb=trr)を考慮したダイオード・モデル編】デバイスモデリング教材
価格21,000円(消費税込み)
ダイオードのパラメータ・モデルでは、逆回復特性をパラメータTT、1個で表現しており、逆回復特性を忠実に表現しておりません。
逆回復特性を忠実に再現する為には、等価回路モデルを採用しなければなりません。このモデルの用途は、回路上にて、スイッチング
時間が影響する場合、特にパワー・エレクトロニクスにおいて、パワーMOSFETのボディダイオード、IGBTのFWDに有効です。
等価回路モデルのご紹介、等価回路モデルのご理解に是非、ご活用下さい。また、電流減少率(didt)モデルの最新研究の成果、及び
サーマル・デバイスモデルも掲載しています。
教材CD-Rの中には以下のファイルが格納されています。
(1)セミナー用教材(パワーポイント209枚)
(2)解析精度 (%Error) を確認するEXCELシート
(3)デバイスモデリング・ワーク・シート
(4)1SR139-400(ローム)のデバイスモデル
(5)逆回復時間の高温測定経時変化の映像
(6)順方向特性の高温測定経時変化の映像
(7)逆特性の高温測定経時変化の映像
(8)10GL2CZ47A(東芝セミコンダクター社)のサーマル・デバイスモデル
(Tc=25,80,110,150℃)
(9)10GL2CZ47A(東芝セミコンダクター社)のPSpice評価シミュレーション・ファイル
目次(セミナー用教材)
1. デバイスモデリングについて
2. デバイスモデリング
2.1 ダイオードのパラメータ・モデルとビヘイビア・モデルの相違点
2.2 ビヘイビア・モデルの考え方 (5 方式 : ビー・テクノロジー考案)
2.3 順方向特性のパラメータの抽出方法
2.4 容量特性のパラメータの抽出方法
2.5 逆回復特性の抽出方法
3. デバイスモデルの評価方法
3.1 順方向特性の評価解析シミュレーション
3.2 容量特性の評価解析シミュレーション
3.3 逆回復特性の評価解析シミュレーション
4. サーマル・デバイスモデリング
5. ダイオードモデルのデバイスモデリング実習
5.1 デバイスモデリング
5.2 評価回路シミュレーション
6. FCC 回路におけるノイズ解析シミュレーション
6.1 FCC 回路方式
6.2 回路解析シミュレーションの考え方
6.3 デバイスモデルを組み込み、回路解析シミュレーション
7. 電流減少率 didt モデルのご紹介
8. 質疑応答
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