FAQ ショットキ・バリア・ダイオード 半導体部品 デバイスモデル(SPICE MODEL)
[Question1]
ショットキ・バリア・ダイオードのモデリングをする際にEGパラメータの設定をどのようにすればいいのでしょうか？
ご回答
ショットキ・バリア・ダイオードの特徴は、低VF化にあります。構造は、シリコンウエハーにバリア金属を蒸着させたダイオードです。
多数キャリアデバイスの為、原理的には逆回復時間(trr)がありません。つまり、シリコンデバイスのEG値を採用せず、バリア金属
のEG値を採用しなくてはなりません。EGは活性化エネルギーギャップのパラメータです。
バリア金属がCrの場合は、EG=0.68
バリア金属がMoの場合は、EG=0.69
の値を採用してください。EGのデフォルト値は1.11でシリコンデバイスの値になっております。
