【パワーMOSFET・モデル編 Version 1.3】デバイスモデリング教材
価格21,000円(消費税込み)
パワー・エレクトロニクスにおいて主役でもあるパワーMOSFETのデバイスモデリングの教材です。パワーMOSFETは、本体のMOSFET
とボディ・ダイオードで構成されております。それぞれのデバイスモデリングのポイント、注意点、最適なモデリングのプロセスについて
解説しています。パワーMOSFET のご理解に是非、ご活用下さい。
教材CD-Rの中には以下のファイルが格納されています。
(1)セミナー用教材(パワーポイント306枚)
(2)解析精度 (%Error) を確認するEXCELシート
(3)デバイスモデリング・ワーク・シート
(4)測定データを計算するシート
(5)2SK2283(新電元工業)のデバイスモデル
(6)2SK2283(新電元工業)のPSpice評価シミュレーション・ファイル
目次(セミナー用教材)
1. デバイスモデリングについて
2. パワー MOSFET のデバイスモデリング
パワー MOSFET
2.1 L,W,TOX の定数決定方法
2.2 KP の抽出方法
2.3 VTO の抽出方法
2.4 RD の抽出方法
2.5 RDS の抽出方法
2.6 CGSO,CGDO の抽出方法
2.7 MJ,PB の抽出方法
2.8 RG の抽出方法
ボディ・ダイオード
2.9 IS,N,RS,IKF の抽出方法
2.10 TT(trj) の抽出方法
2.11 サブサーキットの記述方法
3. デバイスモデルの評価方法
パワー MOSFET
3.1 Vgs-Id 特性の評価解析シミュレーション
3.2 Rds(on) Resistance の評価解析シミュレーション
3.3 ゲート・チャージ特性の評価解析シミュレーション
3.4 容量特性 (Vds vs. Cbd) の評価解析シミュレーション
3.5 td(on) の評価解析シミュレーション
ボディ・ダイオード
3.6 Vsd vs. Is 特性の評価解析シミュレーション
3.7 逆回復特性の評価解析シミュレーション
4. モデルの弱点について ( ゲート・チャージ特性 )
5. サーマルデバイスモデルについて
6. 質疑応答
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